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Herstellerteilenummer | WHDR10FET |
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Zukünftige Teilenummer | FT-WHDR10FET |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | WH |
WHDR10FET Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 100 mOhms |
Toleranz | ±1% |
Leistung (Watt) | 3W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Eigenschaften | - |
Temperaturkoeffizient | ±90ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.217" Dia x 0.533" L (5.50mm x 13.54mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WHDR10FET Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | WHDR10FET-FT |
ERD-S1TJ153V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ152V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ151V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ150V
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ERD-S1TJ135V
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ERD-S1TJ134V
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ERD-S1TJ133V
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ERD-S1TJ132V
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ERD-S1TJ131V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ130V
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A1010B-2PQ100C
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152I
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQI
Microchip Technology
XC7VX485T-2FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FFG1154C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40E3LG
Intel
10AX115S4F45E3LG
Intel
EP2AGX65DF29C6N
Intel
5CEBA4U15C8N
Intel