Zuhause / Produkte / Widerstände / Durchgangswiderstände / WNA10RFET
Herstellerteilenummer | WNA10RFET |
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Zukünftige Teilenummer | FT-WNA10RFET |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | WN |
WNA10RFET Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 10 Ohms |
Toleranz | ±1% |
Leistung (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Eigenschaften | Non-Inductive |
Temperaturkoeffizient | ±50ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.100" Dia x 0.200" L (2.54mm x 5.08mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNA10RFET Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | WNA10RFET-FT |
ERO-S2PHF1271
Panasonic Electronic Components
ERO-S2PHF1211
Panasonic Electronic Components
WHCR75FET
Ohmite
WNCR75FET
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WNCR50FET
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WHCR50FET
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WNC75RFET
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WHC75RFET
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LFEC6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8N
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10AX027H3F34E2LG
Intel
XC7K355T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VLX85-1FF676I
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N4F40E3SG
Intel
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EP20K200CB652C7
Intel