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Herstellerteilenummer | WNAR50FET |
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Zukünftige Teilenummer | FT-WNAR50FET |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | WN |
WNAR50FET Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 500 mOhms |
Toleranz | ±1% |
Leistung (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Eigenschaften | Non-Inductive |
Temperaturkoeffizient | ±90ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.100" Dia x 0.200" L (2.54mm x 5.08mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNAR50FET Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | WNAR50FET-FT |
ERO-S2PHF5110
Panasonic Electronic Components
ERO-S2PHF5112
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ERO-S2PHF5761
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ERO-S2PHF5111
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ERO-S2PHF4642
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ERO-S2PHF4222
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ERO-S2PHF4641
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ERO-S2PHF3482
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ERO-S2PHF3163
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ERO-S2PHF3160
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EP1K30TC144-3
Intel
XCVU065-2FFVC1517I
Xilinx Inc.
XC3S400-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P1000-FG484T
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXEA9K2H40I3N
Intel
EP3SL150F1152C3
Intel
A40MX02-1PL44
Microsemi Corporation