Zuhause / Produkte / Widerstände / Durchgangswiderstände / WNB10RFET
Herstellerteilenummer | WNB10RFET |
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Zukünftige Teilenummer | FT-WNB10RFET |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | WN |
WNB10RFET Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 10 Ohms |
Toleranz | ±1% |
Leistung (Watt) | 1W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Eigenschaften | Non-Inductive |
Temperaturkoeffizient | ±50ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.130" Dia x 0.276" L (3.30mm x 7.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNB10RFET Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | WNB10RFET-FT |
ERO-S2GHF8201
Panasonic Electronic Components
ERO-S2PHF7680
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ERO-S2PHF5112
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ERO-S2PHF5111
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LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
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10AX048K2F35I2SG
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5SGXMA4H3F35I3LN
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10AX115U2F45E2SG
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