Zuhause / Produkte / Widerstände / Durchgangswiderstände / WND10RFET
Herstellerteilenummer | WND10RFET |
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Zukünftige Teilenummer | FT-WND10RFET |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | WN |
WND10RFET Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 10 Ohms |
Toleranz | ±1% |
Leistung (Watt) | 3W |
Zusammensetzung | Wirewound |
Eigenschaften | Non-Inductive |
Temperaturkoeffizient | ±50ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.217" Dia x 0.533" L (5.50mm x 13.54mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WND10RFET Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | WND10RFET-FT |
ERD-S1TJ164V
Panasonic Electronic Components
ERD-S1TJ163V
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ERD-S1TJ162V
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ERD-S1TJ151V
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A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60ETC144-3N
Intel
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
10M40DAF484I6G
Intel
10M25DAF256C8G
Intel
5SGXEA3K2F40I3L
Intel
5SGXEA4H1F35C2L
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3SGE2
Intel