Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / WNS20H100CQ
Herstellerteilenummer | WNS20H100CQ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-WNS20H100CQ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
WNS20H100CQ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50µA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220E |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNS20H100CQ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | WNS20H100CQ-FT |
MBR30200CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30200FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3040CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3040FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3045CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3045FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3050CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3050FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3060CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3060FCTE3/TU
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel