Zuhause / Produkte / Widerstände / Widerstandsnetzwerke, Arrays / Y1365V0008BT0R
Herstellerteilenummer | Y1365V0008BT0R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-Y1365V0008BT0R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SMN |
Y1365V0008BT0R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Schaltungstyp | Isolated |
Widerstand (Ohm) | 10k |
Toleranz | ±0.1% |
Anzahl der Widerstände | 4 |
Widerstandsanpassungsverhältnis | ±0.01% |
Widerstands-Verhältnis-Drift | ±0.5 ppm/°C |
Anzahl der Stifte | 8 |
Leistung pro Element | 100mW |
Temperaturkoeffizient | ±2ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Anwendungen | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.197" L x 0.157" W (5.00mm x 3.99mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.073" (1.86mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
Y1365V0008BT0R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | Y1365V0008BT0R-FT |
4116R-2-682
Bourns Inc.
4116R-2-682LF
Bourns Inc.
4116R-2-683
Bourns Inc.
4116R-2-683LF
Bourns Inc.
4116R-2-820
Bourns Inc.
4116R-2-820LF
Bourns Inc.
4116R-2-821
Bourns Inc.
4116R-2-821LF
Bourns Inc.
4116R-2-822
Bourns Inc.
4116R-2-822LF
Bourns Inc.
XCS40XL-4PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX360NF45I3N
Intel
5AGZME7H2F35I3LN
Intel
M2GL090S-1FGG676I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQG100A
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4L
Intel
EP20K100QC208-3N
Intel