Zuhause / Produkte / Widerstände / Widerstandsnetzwerke, Arrays / Y1365V0206BA9R
Herstellerteilenummer | Y1365V0206BA9R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-Y1365V0206BA9R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SMN |
Y1365V0206BA9R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Schaltungstyp | Isolated |
Widerstand (Ohm) | 2k, 10k |
Toleranz | ±0.1% |
Anzahl der Widerstände | 4 |
Widerstandsanpassungsverhältnis | ±0.05% |
Widerstands-Verhältnis-Drift | ±0.5 ppm/°C |
Anzahl der Stifte | 8 |
Leistung pro Element | 100mW |
Temperaturkoeffizient | ±2ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Anwendungen | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.197" L x 0.157" W (5.00mm x 3.99mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.073" (1.86mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
Y1365V0206BA9R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | Y1365V0206BA9R-FT |
ORNTA1003AT1
Vishay Thin Film
ORNTA5002AT1
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ORNTA5001AT1
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XC6SLX150-L1FGG484I
Xilinx Inc.
A1425A-1VQ100C
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100
Microsemi Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7N
Intel
5SEEBH40I4N
Intel
M1AGL1000V5-CS281
Microsemi Corporation
AT6002LV-4JC
Microchip Technology
10AX115U4F45I4SGES
Intel
EP2AGX65CU17I5
Intel