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ZXMN10A11GTA Image

Diodes Incorporated ZXMN10A11GTA

MFG-Teilenummer
ZXMN10A11GTA
verfügbare Anzahl
60410 Stücke
Referenzpreis
USD 0.29008
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
ZXMN10A11GTA.pdf
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ZXMN10A11GTA Spezifikationen

Herstellerteilenummer ZXMN10A11GTA
Zukünftige Teilenummer FT-ZXMN10A11GTA
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
ZXMN10A11GTA Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 1.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 274pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package SOT-223
Paket / fall TO-261-4, TO-261AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN10A11GTA Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer ZXMN10A11GTA-FT

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