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Diodes Incorporated ZXMN10A25GTA

Name: ZXMN10A25GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN10A25GTA
Price: 0.45408 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (527 reviews)

MFG-Teilenummer: ZXMN10A25GTA

verfügbare Anzahl: 58860 Stücke

Referenzpreis: USD 0.45408

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: ZXMN10A25GTA.pdf

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ZXMN10A25GTA Spezifikationen

Herstellerteilenummer	ZXMN10A25GTA
Zukünftige Teilenummer	FT-ZXMN10A25GTA
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
ZXMN10A25GTA Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	859pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	SOT-223
Paket / fall	TO-261-4, TO-261AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN10A25GTA Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	ZXMN10A25GTA-FT

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