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Diodes Incorporated ZXMN10B08E6TC

Name: ZXMN10B08E6TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN10B08E6TC
Availability: InStock
Rating: 5.0 (57 reviews)

MFG-Teilenummer: ZXMN10B08E6TC

verfügbare Anzahl: 91580 Stücke

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: ZXMN10B08E6TC.pdf

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ZXMN10B08E6TC Spezifikationen

Herstellerteilenummer	ZXMN10B08E6TC
Zukünftige Teilenummer	FT-ZXMN10B08E6TC
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
ZXMN10B08E6TC Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	9.2nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	497pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.1W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	SOT-26
Paket / fall	SOT-23-6
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN10B08E6TC Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	ZXMN10B08E6TC-FT

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