Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / ZXMN2B03E6TA
Herstellerteilenummer | ZXMN2B03E6TA |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ZXMN2B03E6TA |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
ZXMN2B03E6TA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.3A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1160pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.1W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-23-6 |
Paket / fall | SOT-23-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMN2B03E6TA Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ZXMN2B03E6TA-FT |
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Microsemi Corporation
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Intel
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
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