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Diodes Incorporated ZXMN3F31DN8TA

Name: ZXMN3F31DN8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN3F31DN8TA
Price: 0.3872 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (309 reviews)

MFG-Teilenummer: ZXMN3F31DN8TA

verfügbare Anzahl: 88240 Stücke

Referenzpreis: USD 0.3872

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: ZXMN3F31DN8TA.pdf

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ZXMN3F31DN8TA Spezifikationen

Herstellerteilenummer	ZXMN3F31DN8TA
Zukünftige Teilenummer	FT-ZXMN3F31DN8TA
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
ZXMN3F31DN8TA Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	12.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	608pF @ 15V
Leistung max	1.8W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package	8-SO
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN3F31DN8TA Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	ZXMN3F31DN8TA-FT

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