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Diodes Incorporated ZXMN3G32DN8TA
- MFG-Teilenummer
- ZXMN3G32DN8TA
- verfügbare Anzahl
- 81630 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.3872
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Diodes Incorporated
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- ZXMN3G32DN8TA.pdf
ZXMN3G32DN8TA Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | ZXMN3G32DN8TA |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-ZXMN3G32DN8TA |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| ZXMN3G32DN8TA Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 5.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 472pF @ 15V |
| Leistung max | 1.8W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| ZXMN3G32DN8TA Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | ZXMN3G32DN8TA-FT |
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