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ZXMN6A08E6QTA Image

Diodes Incorporated ZXMN6A08E6QTA

MFG-Teilenummer
ZXMN6A08E6QTA
verfügbare Anzahl
27020 Stücke
Referenzpreis
USD 0.33028
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
ZXMN6A08E6QTA.pdf
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ZXMN6A08E6QTA Spezifikationen

Herstellerteilenummer ZXMN6A08E6QTA
Zukünftige Teilenummer FT-ZXMN6A08E6QTA
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
ZXMN6A08E6QTA Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 2.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 459pF @ 40V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package SOT-26
Paket / fall SOT-23-6
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN6A08E6QTA Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer ZXMN6A08E6QTA-FT

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