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ZXMN6A25G Image

Diodes Incorporated ZXMN6A25G

MFG-Teilenummer
ZXMN6A25G
verfügbare Anzahl
82810 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
ZXMN6A25G.pdf
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ZXMN6A25G Spezifikationen

Herstellerteilenummer ZXMN6A25G
Zukünftige Teilenummer FT-ZXMN6A25G
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
ZXMN6A25G Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 4.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1063pF @ 30V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package SOT-223
Paket / fall TO-261-4, TO-261AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN6A25G Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer ZXMN6A25G-FT

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