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Herstellerteilenummer | 1110-1R2M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1110-1R2M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | 1110 |
1110-1R2M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 1.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 9A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.660" Dia (16.76mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.840" (21.34mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-1R2M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1110-1R2M-FT |
1130-820K
Bourns Inc.
1130-821K
Bourns Inc.
1130-8R2M
Bourns Inc.
1120-4R7M-RC
Bourns Inc.
1120-221K-RC
Bourns Inc.
1120-680K-RC
Bourns Inc.
1120-221K
Bourns Inc.
1120-680K
Bourns Inc.
1120-120K-RC
Bourns Inc.
1120-121K-RC
Bourns Inc.
XC6SLX9-2FT256C
Xilinx Inc.
AX500-FGG484
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40I3LN
Intel
10CL025YE144C6G
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FBG900C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation