Herstellerteilenummer | 1N3611 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N3611 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N3611 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | A, Axial |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3611 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N3611-FT |
LSM145 MELF
Microsemi Corporation
JANS1N5809
Microsemi Corporation
JANS1N5552
Microsemi Corporation
1N5809
Microsemi Corporation
APTDF500U40G
Microsemi Corporation
APTDF500U20G
Microsemi Corporation
APTDF450U60G
Microsemi Corporation
APTDF430U100G
Microsemi Corporation
APTDF400U120G
Microsemi Corporation
APT15DQ120KG
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel