Herstellerteilenummer | 1N5809 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5809 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5809 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | B, Axial |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5809 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5809-FT |
JAN1N5806
Microsemi Corporation
JAN1N5711-1
Microsemi Corporation
JAN1N5622
Microsemi Corporation
JAN1N5620
Microsemi Corporation
JAN1N5619
Microsemi Corporation
JAN1N5617
Microsemi Corporation
JAN1N5616
Microsemi Corporation
JAN1N5615US
Microsemi Corporation
JAN1N5614US
Microsemi Corporation
JAN1N5614
Microsemi Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel