Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N4448W-E3-18
Herstellerteilenummer | 1N4448W-E3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N4448W-E3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N4448W-E3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 75V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 150mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 5mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 75V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4448W-E3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N4448W-E3-18-FT |
MI3045S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel