Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N4448W-G3-18
Herstellerteilenummer | 1N4448W-G3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N4448W-G3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
1N4448W-G3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 75V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 150mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 5mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 75V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-123 |
Supplier Device Package | SOD-123 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4448W-G3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N4448W-G3-18-FT |
V20100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150SG-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel