Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5617E3
Herstellerteilenummer | 1N5617E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5617E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5617E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F | 35pF @ 12V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | A, Axial |
Supplier Device Package | A, Axial |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5617E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5617E3-FT |
GSXD300A170S2D5
Global Power Technologies Group
HS1D-13
Diodes Incorporated
JAN1N3595A-1
Microsemi Corporation
JAN1N3595UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N3646
Microsemi Corporation
JAN1N4944
Microsemi Corporation
JAN1N5187
Microsemi Corporation
JAN1N5188
Microsemi Corporation
JAN1N5190
Microsemi Corporation
JAN1N5415
Microsemi Corporation
EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
Intel
EP3SL150F780I4
Intel
EP1C4F324I7N
Intel