Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5622US
Herstellerteilenummer | 1N5622US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5622US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5622US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, A |
Supplier Device Package | D-5A |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 200°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5622US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5622US-FT |
JAN1N3595UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N3646
Microsemi Corporation
JAN1N4944
Microsemi Corporation
JAN1N5187
Microsemi Corporation
JAN1N5188
Microsemi Corporation
JAN1N5190
Microsemi Corporation
JAN1N5415
Microsemi Corporation
JAN1N5415US
Microsemi Corporation
JAN1N5417US
Microsemi Corporation
JAN1N5418
Microsemi Corporation
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
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XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
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LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
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EP2AGX95EF35C6ES
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