Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N5623US
Herstellerteilenummer | 1N5623US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N5623US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N5623US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 500ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 12V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, A |
Supplier Device Package | D-5A |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5623US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N5623US-FT |
JAN1N3646
Microsemi Corporation
JAN1N4944
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
JAN1N5415
Microsemi Corporation
JAN1N5415US
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
JAN1N5418
Microsemi Corporation
JAN1N5418US
Microsemi Corporation
XC4010E-2BG225I
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A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
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A54SX72A-PQG208A
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5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
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LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel