Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / 1N6081US
Herstellerteilenummer | 1N6081US |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N6081US |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N6081US Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 150V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 37.7A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 150V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, G |
Supplier Device Package | G-MELF (D-5C) |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 155°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6081US Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N6081US-FT |
JAN1N5415
Microsemi Corporation
JAN1N5415US
Microsemi Corporation
JAN1N5417US
Microsemi Corporation
JAN1N5418
Microsemi Corporation
JAN1N5418US
Microsemi Corporation
JAN1N5419US
Microsemi Corporation
JAN1N5420US
Microsemi Corporation
JAN1N5551US
Microsemi Corporation
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JAN1N5553
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XC2V1500-4FGG676C
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XC4010E-1PQ208C
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XC3S700AN-4FGG484C
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10AX027H3F35E2LG
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A1020B-PL44I
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XCV150-6BG256C
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XC6VHX380T-2FFG1154C
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XC6SLX25-3CSG324I
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EP2AGX125EF29C5NES
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