Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / 1N6461US/TR
Herstellerteilenummer | 1N6461US/TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-1N6461US/TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
1N6461US/TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 5V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 5.6V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 9V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 56A |
Leistung - Spitzenimpuls | 500W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SQ-MELF, B |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6461US/TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 1N6461US/TR-FT |
JAN1N6167A
Microsemi Corporation
JAN1N6168A
Microsemi Corporation
JAN1N6169A
Microsemi Corporation
JAN1N6170A
Microsemi Corporation
JAN1N6171A
Microsemi Corporation
JAN1N6172A
Microsemi Corporation
JAN1N6173A
Microsemi Corporation
JANTX1N6140A
Microsemi Corporation
JANTX1N6141A
Microsemi Corporation
JANTX1N6142A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C5F256C8N
Intel
10AX027E4F27I3LG
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC5VSX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7V2000T-1FHG1761I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C6N
Intel