Herstellerteilenummer | 2N6387G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-2N6387G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2N6387G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 10A |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 60V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V |
Leistung max | 2W |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6387G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2N6387G-FT |
MJW21192G
ON Semiconductor
MJW21193
ON Semiconductor
MJW21194
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MJW21195
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MJW3281A
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2SA1419T-TD-E
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2SC3649T-TD-H
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2SB1123T-TD-E
ON Semiconductor
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
APA600-BGG456I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC256-2
Intel
5SGSMD8K3F40C4N
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-L1FBG484I
Xilinx Inc.
LFE2-50E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE115F29I8L
Intel