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Vishay Siliconix 2N6661JAN02

MFG-Teilenummer
2N6661JAN02
verfügbare Anzahl
49330 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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2N6661JAN02 Spezifikationen

Herstellerteilenummer 2N6661JAN02
Zukünftige Teilenummer FT-2N6661JAN02
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Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
2N6661JAN02 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 90V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 860mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-39
Paket / fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2N6661JAN02 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer 2N6661JAN02-FT

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