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Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438(AISIN,Q,M)
- MFG-Teilenummer
- 2SJ438(AISIN,Q,M)
- verfügbare Anzahl
- 70760 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kurze Beschreibung
- * MOSFET P-CH
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- 2SJ438(AISIN,Q,M).pdf
2SJ438(AISIN,Q,M) Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | 2SJ438(AISIN,Q,M) |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-2SJ438(AISIN,Q,M) |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | * |
| 2SJ438(AISIN,Q,M) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220NIS |
| Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2SJ438(AISIN,Q,M) Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | 2SJ438(AISIN,Q,M)-FT |
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