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2SJ661-DL-1E Image

ON Semiconductor 2SJ661-DL-1E

MFG-Teilenummer
2SJ661-DL-1E
verfügbare Anzahl
85560 Stücke
Referenzpreis
USD 1.059904
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET P-CH 60V 38A
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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2SJ661-DL-1E Spezifikationen

Herstellerteilenummer 2SJ661-DL-1E
Zukünftige Teilenummer FT-2SJ661-DL-1E
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
2SJ661-DL-1E Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 38A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4360pF @ 20V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package TO-263-2
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SJ661-DL-1E Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer 2SJ661-DL-1E-FT

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