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Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3906(Q)

Name: 2SK3906(Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SK3906(Q)
Availability: InStock
Rating: 4.7 (796 reviews)

MFG-Teilenummer: 2SK3906(Q)

verfügbare Anzahl: 84800 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: 2SK3906(Q).pdf

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2SK3906(Q) Spezifikationen

Herstellerteilenummer	2SK3906(Q)
Zukünftige Teilenummer	FT-2SK3906(Q)
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
2SK3906(Q) Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	330 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4250pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-3P(N)
Paket / fall	TO-3P-3, SC-65-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK3906(Q) Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	2SK3906(Q)-FT

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