Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / 2SK4177-DL-E
Herstellerteilenummer | 2SK4177-DL-E |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-2SK4177-DL-E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
2SK4177-DL-E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 37.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 80W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SMP-FD |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK4177-DL-E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 2SK4177-DL-E-FT |
BUZ31 H3045A
Infineon Technologies
IPB015N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB027N10N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB029N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB034N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPB035N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB042N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB049NE7N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB054N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB054N08N3GATMA1
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel