Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / 4N31S1(TB)
Herstellerteilenummer | 4N31S1(TB) |
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Zukünftige Teilenummer | FT-4N31S1(TB) |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
4N31S1(TB) Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 50% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | - |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 5µs, 40µs (Max) |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Darlington with Base |
Spannung - Ausgang (max.) | 55V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 1.2V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 6-SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N31S1(TB) Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 4N31S1(TB)-FT |
EL817(S1)(B)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TA)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
LCMXO640C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-2CSG484I
Xilinx Inc.
XC2S100-6PQ208C
Xilinx Inc.
APA300-FG144A
Microsemi Corporation
AX1000-FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-PQG208A
Microsemi Corporation
EP4CGX150CF23C7N
Intel
5SGXMA3K1F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC5VLX50-2FFG324I
Xilinx Inc.