Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / 4N32S(TB)-V
Herstellerteilenummer | 4N32S(TB)-V |
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Zukünftige Teilenummer | FT-4N32S(TB)-V |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
4N32S(TB)-V Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 500% @ 10mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | - |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 5µs, 100µs (Max) |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Darlington with Base |
Spannung - Ausgang (max.) | 55V |
Strom - Ausgang / Kanal | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 1V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 6-SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N32S(TB)-V Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | 4N32S(TB)-V-FT |
EL817(S1)(B)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(B)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TB)-G
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EL817(S1)(C)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(C)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
LCMXO2-1200ZE-2TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C5
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
10CX220YF672I6G
Intel
XC2V6000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
10AX022E3F29E1SG
Intel
EP1C12Q240I7N
Intel
10M02DCV36I7G
Intel