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Microsemi Corporation APT10M11B2VFRG

Name: APT10M11B2VFRG
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT10M11B2VFRG
Availability: InStock
Rating: 4.8 (213 reviews)

MFG-Teilenummer: APT10M11B2VFRG

verfügbare Anzahl: 21680 Stücke

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Hersteller: Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung: POWER MOS V® MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: APT10M11B2VFRG.pdf

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APT10M11B2VFRG Spezifikationen

Herstellerteilenummer	APT10M11B2VFRG
Zukünftige Teilenummer	FT-APT10M11B2VFRG
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	POWER MOS V®
APT10M11B2VFRG Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	450nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10300pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	520W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	T-MAX™
Paket / fall	TO-247-3 Variant
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT10M11B2VFRG Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	APT10M11B2VFRG-FT

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