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Microsemi Corporation APT66F60B2

Name: APT66F60B2
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APT66F60B2
Price: 16.744 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (137 reviews)

MFG-Teilenummer: APT66F60B2

verfügbare Anzahl: 51690 Stücke

Referenzpreis: USD 16.744

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Hersteller: Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung: POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: APT66F60B2.pdf

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APT66F60B2 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	APT66F60B2
Zukünftige Teilenummer	FT-APT66F60B2
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	POWER MOS 8™
APT66F60B2 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	330nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	13190pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1135W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	T-MAX™ [B2]
Paket / fall	TO-247-3 Variant
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT66F60B2 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	APT66F60B2-FT

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