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APT70GR65B2SCD30 Image

Microsemi Corporation APT70GR65B2SCD30

MFG-Teilenummer
APT70GR65B2SCD30
verfügbare Anzahl
51860 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
* INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - IGBTs - Single
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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APT70GR65B2SCD30 Spezifikationen

Herstellerteilenummer APT70GR65B2SCD30
Zukünftige Teilenummer FT-APT70GR65B2SCD30
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie *
APT70GR65B2SCD30 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
IGBT-Typ NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) 134A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) 260A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 70A
Leistung max 595W
Energie wechseln -
Eingabetyp -
Gate Charge 305nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 19ns/170ns
Testbedingung 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / fall TO-247-3
Supplier Device Package T-MAX™ [B2]
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT70GR65B2SCD30 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer APT70GR65B2SCD30-FT

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