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Microsemi Corporation APTM100A46FT1G
- MFG-Teilenummer
- APTM100A46FT1G
- verfügbare Anzahl
- 12540 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Microsemi Corporation
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- APTM100A46FT1G.pdf
APTM100A46FT1G Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | APTM100A46FT1G |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-APTM100A46FT1G |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| APTM100A46FT1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 19A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 552 mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 260nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
| Leistung max | 357W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / fall | SP1 |
| Supplier Device Package | SP1 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| APTM100A46FT1G Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | APTM100A46FT1G-FT |
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