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Microsemi Corporation APTM100UM45DAG

MFG-Teilenummer
APTM100UM45DAG
verfügbare Anzahl
52230 Stücke
Referenzpreis
USD 221.056
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
POWER MOS 7® MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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APTM100UM45DAG Spezifikationen

Herstellerteilenummer APTM100UM45DAG
Zukünftige Teilenummer FT-APTM100UM45DAG
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie POWER MOS 7®
APTM100UM45DAG Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 215A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 107.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 30mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 1602nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 42700pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5000W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Supplier Device Package SP6
Paket / fall SP6
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM100UM45DAG Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer APTM100UM45DAG-FT

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