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Herstellerteilenummer | APTM10DAM02G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-APTM10DAM02G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
APTM10DAM02G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 495A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 200A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1360nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 40000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1250W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Supplier Device Package | SP6 |
Paket / fall | SP6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM10DAM02G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | APTM10DAM02G-FT |
TSM70N600ACL X0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FCP9N60N-F102
ON Semiconductor
SQM200N04-1M1L_GE3
Vishay Siliconix
SQM200N04-1M7L_GE3
Vishay Siliconix
SQM40081EL_GE3
Vishay Siliconix
STP45N60DM6
STMicroelectronics
STW45N60DM6
STMicroelectronics
BSC010N04LSCATMA1
Infineon Technologies
BSC019N04LSTATMA1
Infineon Technologies
NVMTS0D4N04CLTXG
ON Semiconductor
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel