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Microsemi Corporation APTM10UM01FAG

MFG-Teilenummer
APTM10UM01FAG
verfügbare Anzahl
73780 Stücke
Referenzpreis
USD 153.192
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 100V 860A SP6
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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APTM10UM01FAG Spezifikationen

Herstellerteilenummer APTM10UM01FAG
Zukünftige Teilenummer FT-APTM10UM01FAG
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
APTM10UM01FAG Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 860A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 275A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 12mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 2100nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 60000pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2500W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Supplier Device Package SP6
Paket / fall SP6
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM10UM01FAG Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer APTM10UM01FAG-FT

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