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Microsemi Corporation APTM120DA30CT1G

Name: APTM120DA30CT1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM120DA30CT1G
Availability: InStock
Rating: 4.6 (88 reviews)

MFG-Teilenummer: APTM120DA30CT1G

verfügbare Anzahl: 16630 Stücke

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Hersteller: Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung: POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: APTM120DA30CT1G.pdf

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APTM120DA30CT1G Spezifikationen

Herstellerteilenummer	APTM120DA30CT1G
Zukünftige Teilenummer	FT-APTM120DA30CT1G
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	POWER MOS 8™
APTM120DA30CT1G Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	560nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	14560pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	657W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Supplier Device Package	SP1
Paket / fall	SP1
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120DA30CT1G Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	APTM120DA30CT1G-FT

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