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Microsemi Corporation APTMC120AM08CD3AG

MFG-Teilenummer
APTMC120AM08CD3AG
verfügbare Anzahl
82810 Stücke
Referenzpreis
USD 959.976
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
- MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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APTMC120AM08CD3AG Spezifikationen

Herstellerteilenummer APTMC120AM08CD3AG
Zukünftige Teilenummer FT-APTMC120AM08CD3AG
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
APTMC120AM08CD3AG Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 10mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 490nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9500pF @ 1000V
Leistung max 1100W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / fall D-3 Module
Supplier Device Package D3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTMC120AM08CD3AG Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer APTMC120AM08CD3AG-FT

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