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Rohm Semiconductor BSM180D12P2C101
- MFG-Teilenummer
- BSM180D12P2C101
- verfügbare Anzahl
- 90850 Stücke
- Referenzpreis
- USD 332.16
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Rohm Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- BSM180D12P2C101.pdf
BSM180D12P2C101 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | BSM180D12P2C101 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-BSM180D12P2C101 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| BSM180D12P2C101 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 204A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 10V |
| Leistung max | 1130W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / fall | Module |
| Supplier Device Package | Module |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BSM180D12P2C101 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | BSM180D12P2C101-FT |
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