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Rohm Semiconductor BSM180D12P2C101

MFG-Teilenummer
BSM180D12P2C101
verfügbare Anzahl
90850 Stücke
Referenzpreis
USD 332.16
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
BSM180D12P2C101.pdf
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BSM180D12P2C101 Spezifikationen

Herstellerteilenummer BSM180D12P2C101
Zukünftige Teilenummer FT-BSM180D12P2C101
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Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
BSM180D12P2C101 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 35.2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 10V
Leistung max 1130W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart -
Paket / fall Module
Supplier Device Package Module
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM180D12P2C101 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer BSM180D12P2C101-FT

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