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Herstellerteilenummer | AS4C16M16MSA-6BIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C16M16MSA-6BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C16M16MSA-6BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile SDRAM |
Speichergröße | 256Mb (16M x 16) |
Taktfrequenz | 166MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 5.5ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 54-VFBGA |
Supplier Device Package | 54-FBGA (8x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16MSA-6BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C16M16MSA-6BIN-FT |
AS7C316096C-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098A-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C34098B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
PZ28F032M29EWBA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWBB TR
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWHA
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel