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Herstellerteilenummer | AS4C16M32MS-6BIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C16M32MS-6BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C16M32MS-6BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile SDRAM |
Speichergröße | 512Mb (16M x 32) |
Taktfrequenz | 166MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 5.4ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 90-VFBGA |
Supplier Device Package | 90-FBGA (8x13) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M32MS-6BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C16M32MS-6BIN-FT |
AS4C512M8D3A-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3LA-12BIN
Alliance Memory, Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel