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Herstellerteilenummer | AS4C512M8D3A-12BIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C512M8D3A-12BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C512M8D3A-12BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.425V ~ 1.575V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 78-VFBGA |
Supplier Device Package | 78-FBGA (9x10.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3A-12BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C512M8D3A-12BIN-FT |
AS1C1M16P-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C1M16PL-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C2M16P-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C512K16P-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C512K16PL-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C34098B-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C6416-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C34098A-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C38096A-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C38096A-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel