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Herstellerteilenummer | AS4C16M32MSA-6BIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C16M32MSA-6BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C16M32MSA-6BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile SDRAM |
Speichergröße | 512Mb (16M x 32) |
Taktfrequenz | 166MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 5.4ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 90-VFBGA |
Supplier Device Package | 90-FBGA (8x13) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M32MSA-6BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C16M32MSA-6BIN-FT |
AS4C128M16D2-25BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2-25BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2-25BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C1G8MD3L-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1G8MD3L-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
MT41K1G8SN-107 IT:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-107:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125 IT:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125:A
Micron Technology Inc.
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel