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Herstellerteilenummer | AS4C256M8D3LB-12BINTR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C256M8D3LB-12BINTR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C256M8D3LB-12BINTR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3L |
Speichergröße | 2Gb (256M x 8) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 78-VFBGA |
Supplier Device Package | 78-FBGA (8x10.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M8D3LB-12BINTR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C256M8D3LB-12BINTR-FT |
AS6C3216A-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C6416-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C8016-55TIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C8016-55TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C316096A-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316096A-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098A-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C34096B-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C34096B-10TINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C34098B-10TIN
Alliance Memory, Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel