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Herstellerteilenummer | AS4C32M16MSA-6BIN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-AS4C32M16MSA-6BIN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
AS4C32M16MSA-6BIN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile SDRAM |
Speichergröße | 512Mb (32M x 16) |
Taktfrequenz | 166MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 5.5ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 54-VFBGA |
Supplier Device Package | 54-FBGA (8x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C32M16MSA-6BIN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | AS4C32M16MSA-6BIN-FT |
AS7C34098B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C4016A-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31026C-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
PZ28F032M29EWBA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWBB TR
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWHA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWLA
Micron Technology Inc.
PZ28F032M29EWTA
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel